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IRF1010ES データシート(Datasheet) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

部品番号. IRF1010ES
部品情報  isc N-Channel MOSFET Transistor
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メーカー  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
ホームページ  http://www.iscsemi.cn
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INCHANGE Semiconductor
isc website:www.iscsemi.cn
isc & iscsemi is registered trademark
2
isc N-Channel MOSFET Transistor
IRF1010ES
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
BVDSS
Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V; ID=0.25mA
60
V
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS; ID=0.25mA
2.0
4.0
V
RDS(on)
Drain-Source On-Resistance
VGS= 10V; ID=50A
12
IGSS
Gate-Source Leakage Current
VGS=±20V;VDS= 0V
±
0.1
μ
A
IDSS
Drain-Source Leakage Current
VDS=60V; VGS= 0V;Tc=25℃
VDS=48V; VGS= 0V; Tc=150℃
25
250
μ
A
VSDF
Diode forward voltage
ISD=50A, VGS = 0 V
1.3
V




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