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IRF2907ZS データシート(Datasheet) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

部品番号. IRF2907ZS
部品情報  Isc N-Channel MOSFET Transistor
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メーカー  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
ホームページ  http://www.iscsemi.cn
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isc website:www.iscsemi.cn
isc & iscsemi is registered trademark
2
Isc N-Channel MOSFET Transistor
IRF2907ZS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
BVDSS
Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V; ID= 0.25mA
75
V
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS; ID=0.25mA
2.0
4.0
V
RDS(on)
Drain-Source On-Resistance
VGS= 10V; ID=75A
3.5
4.5
IGSS
Gate-Source Leakage Current
VGS= ±20V;VDS= 0V
±
0.2
μ
A
IDSS
Drain-Source Leakage Current
VDS=75V; VGS= 0V;Tj=25℃
VDS=75V; VGS= 0V;Tj=125℃
20
250
μ
A
VSDF
Diode forward voltage
ISD=75A, VGS = 0 Vs
1.3
V




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