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EMD04N06F データシート(PDF) 4 Page - Excelliance MOS Corp. |
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EMD04N06F データシート(HTML) 4 Page - Excelliance MOS Corp. |
4 / 5 page 2016/5/25 p.4 EMD04N06F V ,Drain‐Source Voltage( V ) On‐Region Characteristics 40 0.5 0 0 20 1.5 DS 12 8V 10V 80 60 100 7V 2.5 3 I ,Drain Current( A ) On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage 0.5 0 1 1.5 20 D 40 GS V = 7V 2 2.5 3 60 80 100 10V 8V On‐Resistance Variation with Temperature T ‐ Junction Temperature (°C) 0.4 ‐50 0.7 1.0 0 J ‐25 25 D I = 20A V = 10V 1.3 1.6 1.9 GS 125 50 75 100 150 On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage T = 125°C V ‐ Gate‐Source Voltage( V ) 0.002 2 0.004 0.008 0.006 GS 4 6 T = 25°C A A 0.016 0.012 0.010 0.014 0.018 810 I = 20 A D Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 25°C T = 125°C V ‐ Body Diode Forward Voltage( V ) 0.001 0 0.01 0.1 0.4 SD 0.2 0.6 V = 0V 1 10 100 A GS 1.0 0.8 1.2 ‐55°C 1.4 T = ‐55°C V ‐ Gate‐Source Voltage( V ) 2 20 0 40 3 GS V = 10V 80 60 100 120 DS A 5 4 6 25°C 125°C Transfer Characteristics TYPICAL CHARACTERISTICS |
同様の部品番号 - EMD04N06F |
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同様の説明 - EMD04N06F |
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