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2SC4960 データシート(PDF) 2 Page - Panasonic Semiconductor |
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2SC4960 データシート(HTML) 2 Page - Panasonic Semiconductor |
2 / 3 page 2 Power Transistors 2SC4960, 2SC4960A PC —Ta IC —VCE VCE(sat) —IC VBE(sat) —IC hFE —IC fT —IC ton, tstg, tf — IC Area of safe operation (ASO) 0 160 40 120 80 140 20 100 60 0 50 40 30 20 10 (1) T C=Ta (2) With a 100 × 100 × 2mm Al heat sink (3) Without heat sink (P C=3.0W) (1) (3) (2) Ambient temperature Ta (˚C) 012 10 8 26 4 0 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 T C=25˚C 90mA 80mA 70mA 60mA 50mA 40mA 30mA 20mA 10mA 100mA I B=200mA Collector to emitter voltage V CE (V) 0.01 0.03 0.1 0.3 1 0.01 3 1 0.3 0.1 0.03 I C/IB=5 –25˚C 25˚C T C=100˚C Collector current I C (A) 0.01 0.03 0.1 0.3 1 0.01 3 1 0.3 0.1 0.03 I C/IB=5 T C=–25˚C 25˚C 100˚C Collector current I C (A) 0.01 3 1 0.1 0.03 0.3 0.1 0.3 1 3 10 30 100 V CE=5V T C=100˚C 25˚C –25˚C Collector current I C (A) 0.001 0.01 0.1 1 0.003 0.03 0.3 0.1 0.3 1 3 10 30 100 300 1000 V CE=10V f=1MHz T C=25˚C Collector current I C (A) 01.0 0.8 0.2 0.6 0.4 0.01 0.03 0.1 0.3 1 3 10 30 100 t stg t f t on Pulsed t w=1ms Duty cycle=1% I C/IB=5 (2I B1=–IB2) V CC=250V T C=25˚C Collector current I C (A) 1 10 100 1000 3 30 300 0.01 10 1 0.1 0.03 0.3 3 I CP I C Non repetitive pulse T C=25˚C 2SC4960 2SC4960A DC 10ms t=1ms Collector to emitter voltage V CE (V) |
同様の部品番号 - 2SC4960 |
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同様の説明 - 2SC4960 |
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