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2SJ657 データシート(PDF) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
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2 / 4 page 2SJ657 No.7685-2/4 Continued from preceding page. Ratings Parameter Symbol Conditions min typ max Unit Static Drain-to-Source On-State Resistance RDS(on)1 ID=--13A, VGS=--10V 39 52 m Ω RDS(on)2 ID=--13A, VGS=--4V 49 69 m Ω Input Capacitance Ciss VDS=--20V, f=1MHz 6350 pF Output Capacitance Coss VDS=--20V, f=1MHz 430 pF Reverse Transfer Capacitance Crss VDS=--20V, f=1MHz 250 pF Turn-ON Delay Time td(on) See specified Test Circuit. 47 ns Rise Time tr See specified Test Circuit. 240 ns Turn-OFF Delay Time td(off) See specified Test Circuit. 520 ns Fall Time tf See specified Test Circuit. 200 ns Total Gate Charge Qg VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--25A 110 nC Gate-to-Source Charge Qgs VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--25A 20 nC Gate-to-Drain“Miller”Charge Qgd VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--25A 20 nC Diode Forward Voltage VSD IS=--25A, VGS=0 --0.94 --1.2 V Switching Time Test Circuit PW=10 µs D.C. ≤1% P.G 50 Ω G S D ID= --13A RL=3.85Ω VDD= --50V VOUT 2SJ657 VIN 0V --10V VIN ID -- VDS IT06587 ID -- VGS IT06588 0 0 --40 --50 --20 --30 --10 --5.0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 0 0 --40 --50 --20 --30 --10 --5.0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 ID -- VDS Tc=25 °C --4V VGS= --3V VDS= --10V Drain-to-Source Voltage, VDS -- V Gate-to-Source Voltage, VGS -- V |
同様の部品番号 - 2SJ657 |
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同様の説明 - 2SJ657 |
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