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BC107 データシート(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
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BC107 データシート(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 8 page 1997 Sep 03 3 Philips Semiconductors Product specification NPN general purpose transistors BC107; BC108; BC109 LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). THERMAL CHARACTERISTICS Note 1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VCBO collector-base voltage open emitter BC107 − 50 V BC108; BC109 − 30 V VCEO collector-emitter voltage open base BC107 − 45 V BC108; BC109 − 20 V VEBO emitter-base voltage open collector BC107 − 6V BC108; BC109 − 5V IC collector current (DC) − 100 mA ICM peak collector current − 200 mA IBM peak base current − 200 mA Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C − 300 mW Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj junction temperature − 175 °C Tamb operating ambient temperature −65 +150 °C SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth j-a thermal resistance from junction to ambient note 1 0.5 K/mW Rth j-c thermal resistance from junction to case 0.2 K/mW |
同様の部品番号 - BC107 |
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同様の説明 - BC107 |
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