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BCY71 データシート(PDF) 2 Page - NXP Semiconductors |
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BCY71 データシート(HTML) 2 Page - NXP Semiconductors |
2 / 8 page 1997 Jul 11 2 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose transistors BCY70; BCY71 FEATURES • Low current (max. 200 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose industrial applications. DESCRIPTION PNP transistor in a TO-18 metal package. PINNING PIN DESCRIPTION 1 emitter 2 base 3 collector, connected to case Fig.1 Simplified outline (TO-18) and symbol. handbook, halfpage MAM263 1 3 2 3 1 2 QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VCBO collector-base voltage open emitter BCY70 −−50 V BCY71 −−45 V VCEO collector-emitter voltage open base BCY70 −−40 V BCY71 −−45 V ICM peak collector current −−200 mA Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C − 350 mW hFE DC current gain IC = −10 mA; VCE = −1 V 100 − fT transition frequency IC = −10 mA; VCE = −20 V; f = 100 MHz 250 − MHz |
同様の部品番号 - BCY71 |
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同様の説明 - BCY71 |
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