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BU2508DW データシート(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors

部品番号 BU2508DW
部品情報  Silicon Diffused Power Transistor
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メーカー  PHILIPS [NXP Semiconductors]
ホームページ  http://www.nxp.com
Logo PHILIPS - NXP Semiconductors

BU2508DW データシート(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors

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Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2508DW
Fig.9. Typical turn-off losses. T
j = 85˚C
Eoff = f (I
B); parameter IC; f = 16 kHz
Fig.10. Typical collector storage and fall time.
ts = f (I
B); tf = f (IB); parameter IC; Tj = 85˚C; f = 16 kHz
Fig.11. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb = f(t); parameter D = tp/T
Fig.12. Normalised power dissipation.
PD% = 100
⋅P
D/PD 25˚C = f (Tmb)
0.1
1
10
IB / A
Eoff / uJ
BU2508D
1000
100
10
IC = 4.5A
3.5A
1E-06
1E-04
1E-02
1E+00
t / s
Zth / (K/W)
10
1
0.1
0.01
D = 0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
D =
tp
tp
T
T
P
t
D
0.1
1
10
IB / A
ts, tf / us
BU2508D
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
ts
tf
IC =
4.5A
3.5A
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
September 1997
4
Rev 1.100


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