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BU2508DW データシート(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
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BU2508DW データシート(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors |
4 / 7 page Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DW Fig.9. Typical turn-off losses. T j = 85˚C Eoff = f (I B); parameter IC; f = 16 kHz Fig.10. Typical collector storage and fall time. ts = f (I B); tf = f (IB); parameter IC; Tj = 85˚C; f = 16 kHz Fig.11. Transient thermal impedance. Z th j-mb = f(t); parameter D = tp/T Fig.12. Normalised power dissipation. PD% = 100 ⋅P D/PD 25˚C = f (Tmb) 0.1 1 10 IB / A Eoff / uJ BU2508D 1000 100 10 IC = 4.5A 3.5A 1E-06 1E-04 1E-02 1E+00 t / s Zth / (K/W) 10 1 0.1 0.01 D = 0 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 D = tp tp T T P t D 0.1 1 10 IB / A ts, tf / us BU2508D 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 ts tf IC = 4.5A 3.5A 0 20 40 60 80 100 120 140 Tmb / C PD% Normalised Power Derating 120 110 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 September 1997 4 Rev 1.100 |
同様の部品番号 - BU2508DW |
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同様の説明 - BU2508DW |
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