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BUJ105AB データシート(PDF) 5 Page - NXP Semiconductors |
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BUJ105AB データシート(HTML) 5 Page - NXP Semiconductors |
5 / 7 page Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUJ105AB Fig.13. Transient thermal impedance. Z th j-mb = f(t); parameter δ = tp/T Fig.14. Test circuit for reverse bias safe operating area. V clamp < 700V; Vcc = 150V; -Vbe = 5V,3V & 1V; L B = 1µH; LC = 200µH. Fig.15. Reverse bias safe operating area (T j < Tjmax) for -V BE = 5V,3V & 1V. 10 Zth(j-mb) (K/W) 1 10-1 10-2 δ = 0.5 0.2 0.1 Single pulse 0.05 0.02 tp tp T P t T δ = 1 10 10-1 10-2 10-3 10-4 tp (s) 0 100 200 300 400 500 600 700 800 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 VCEclamp/V IC/A -5V -3V -1V LB IBon -VBB LC T.U.T. VCC PROBE POINT VCL(RBSOAR) October 2001 5 Rev 1.000 |
同様の部品番号 - BUJ105AB |
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同様の説明 - BUJ105AB |
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