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STK800 データシート(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
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STK800 データシート(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 12 page STK850 Electrical characteristics 5/12 Table 5. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr Turn-on delay time Rise time VDD= 15V, ID= 15A, RG=4.7Ω, VGS=4.5V (see Figure 13) 20 57 ns ns td(off) tf Turn-off delay time Fall time VDD=15V, ID= 15A, RG=4.7Ω, VGS=4.5V (see Figure 13) 31 13 ns ns Table 6. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by package Source-drain current Source-drain current (pulsed) 30 120 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD= 15A, VGS=0 1.2 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD= 30A, di/dt = 100A/µs, VDD=20V, Tj=150°C (see Figure 18) 39 39.8 2 ns nC A |
同様の部品番号 - STK800 |
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同様の説明 - STK800 |
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