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HEF40106BP データシート(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
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HEF40106BP データシート(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 7 page January 1995 3 Philips Semiconductors Product specification Hex inverting Schmitt trigger HEF40106B gates DC CHARACTERISTICS VSS = 0 V; Tamb =25 °C VDD V SYMBOL MIN. TYP. MAX. Hysteresis 5 0,5 0,8 V voltage 10 VH 0,7 1,3 V 15 0,9 1,8 V Switching levels 5 2 3,0 3,5 V positive-going 10 VP 3,7 5,8 7 V input voltage 15 4,9 8,3 11 V negative-going 5 1,5 2,2 3 V input voltage 10 VN 3 4,5 6,3 V 15 4 6,5 10,1 V Fig.4 Transfer characteristic. Fig.5 Waveforms showing definition of VP,VN and VH, where VN and VP are between limits of 30% and 70%. |
同様の部品番号 - HEF40106BP |
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同様の説明 - HEF40106BP |
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