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RZ1214B65Y データシート(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
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RZ1214B65Y データシート(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 8 page 1999 Dec 24 3 Philips Semiconductors Product specification NPN microwave power transistor RZ1214B65Y LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VCBO collector-base voltage open emitter − 65 V VCEO collector-emitter voltage open base − 15 V VCES collector-emitter voltage RBE =0 Ω− 60 V VEBO emitter-base voltage open collector − 3V IC collector current (DC) tp ≤ 150 µs; δ≤ 5% − 6A Ptot total power dissipation Tmb ≤ 75 °C; tp ≤ 150 µs; δ≤ 5% − 225 W Tstg storage temperature −65 +200 °C Tj operating junction temperature − 200 °C Tsld soldering temperature at 0.2 mm from the case; t ≤ 10 s − 235 °C Fig.2 Power derating curve. tp = 150 µs; δ= 5%. handbook, 0 50 100 200 250 0 200 150 150 100 50 MGD977 Ptot (W) Tmb (°C) |
同様の部品番号 - RZ1214B65Y |
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同様の説明 - RZ1214B65Y |
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