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2SJ660 データシート(PDF) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
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2SJ660 データシート(HTML) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
2 / 4 page 2SJ660 No.8585-2/4 Continued from preceding page. Ratings Parameter Symbol Conditions min typ max Unit Input Capacitance Ciss VDS=--20V, f=1MHz 2200 pF Output Capacitance Coss VDS=--20V, f=1MHz 220 pF Reverse Transfer Capacitance Crss VDS=--20V, f=1MHz 165 pF Turn-ON Delay Time td(on) See specified Test Circuit. 18 ns Rise Time tr See specified Test Circuit. 150 ns Turn-OFF Delay Time td(off) See specified Test Circuit. 180 ns Fall Time tf See specified Test Circuit. 130 ns Total Gate Charge Qg VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--26A 45 nC Gate-to-Source Charge Qgs VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--26A 7.4 nC Gate-to-Drain “Miller” Charge Qgd VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--26A 9 nC Diode Forward Voltage VSD IS=--26A, VGS=0V --0.98 --1.2 V Package Dimensions Package Dimensions unit : mm unit : mm 7513-002 7001-003 Switching Time Test Circuit Avalanche Resistance Test Circuit 10.2 1.3 4.5 0.8 0.4 12 3 2.55 2.55 1.2 1 : Gate 2 : Drain 3 : Source SANYO : SMP PW=10 µs D.C. ≤1% P.G 50 Ω G S D ID= --13A RL=2.3Ω VDD= --30V VOUT 2SJ660 VIN 0V --10V VIN 50 Ω 0V --10V ≥50Ω RG DUT VDD L 10.2 1.3 4.5 0.8 0.4 1.2 2.55 2.55 0 to 0.3 12 3 2.55 2.55 1 : Gate 2 : Drain 3 : Source SANYO : SMP-FD |
同様の部品番号 - 2SJ660 |
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同様の説明 - 2SJ660 |
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