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BUZ102SE3045A データシート(PDF) 7 Page - Infineon Technologies AG |
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BUZ102SE3045A データシート(HTML) 7 Page - Infineon Technologies AG |
7 / 8 page BUZ 102S Data Book 7 05.99 Drain-source on-resistance RDS(on) = f (Tj) parameter : ID = 37 A, VGS = 10 V -60 -20 20 60 100 140 ˚C 200 Tj 0.000 0.005 0.010 0.015 0.020 0.025 0.030 0.035 0.040 0.045 0.050 0.055 Ω 0.065 BUZ102S typ 98% Gate threshold voltage VGS(th) = f (Tj) parameter : VGS = VDS, ID = 90 µA -60 -20 20 60 100 140 ˚C 200 Tj 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0 4.4 V 5.0 min typ max Typ. capacitances C = f (VDS) parameter: VGS = 0 V, f = 1 MHz 0 10 20 V 40 VDS 2 10 3 10 4 10 pF Ciss Coss Crss Forward characteristics of reverse diode IF = f (VSD) parameter: Tj , tp = 80 µs 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0 VSD 0 10 1 10 2 10 3 10 A BUZ102S T j = 25 ˚C typ T j = 25 ˚C (98%) T j = 175 ˚C typ T j = 175 ˚C (98%) |
同様の部品番号 - BUZ102SE3045A |
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同様の説明 - BUZ102SE3045A |
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