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SPI11N60C3 データシート(PDF) 7 Page - Infineon Technologies AG |
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SPI11N60C3 データシート(HTML) 7 Page - Infineon Technologies AG |
7 / 15 page 2005-0 9-21 Rev. 2. 6 Page 7 SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3 9 Typ. drain-source on resistance RDS(on)=f(ID) parameter: Tj=150°C, VGS 0 2 4 6 8 10 12 14 16 A 20 ID 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 Ω 2 4V 4.5V 5V 5.5V 6V 6.5V 8V 20V 10 Drain-source on-state resistance RDS(on) = f (Tj) parameter : ID = 7 A, VGS = 10 V -60 -20 20 60 100 °C 180 Tj 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 Ω 2.1 SPP11N60C3 typ 98% 11 Typ. transfer characteristics ID= f ( VGS ); VDS≥ 2 x ID x RDS(on)max parameter: tp = 10 µs 0 2 4 6 8 10 12 V 15 VGS 0 4 8 12 16 20 24 28 32 A 40 25°C 150°C 12 Typ. gate charge VGS = f (QGate) parameter: ID = 11 A pulsed 0 10 20 30 40 50 nC 70 QGate 0 2 4 6 8 10 12 V 16 SPP11N60C3 0,8 VDS max DS max V 0,2 |
同様の部品番号 - SPI11N60C3 |
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同様の説明 - SPI11N60C3 |
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