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STD95N2LH5 データシート(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
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STD95N2LH5 データシート(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 15 page STD95N2LH5 - STU95N2LH5 Electrical characteristics 5/15 Table 6. Switching on/off (inductive load) Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr Turn-on delay time Rise time VDD=12.5 V, ID= 40 A, RG= 4.7 Ω, VGS= 10 V (see Figure 15) 7 38 ns ns td(off) tf Turn-off delay time Fall time VDD=12.5 V, ID= 40 A, RG= 4.7 Ω, VGS= 10 V (see Figure 15) 22 7 ns ns Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) 80 320 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD= 35 A, VGS=0 1.1 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 80 A, VDD= 20 V di/dt =100 A/µs, (see Figure 17) 32.4 27.1 1.7 ns nC A |
同様の部品番号 - STD95N2LH5 |
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同様の説明 - STD95N2LH5 |
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