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SI1470DH-T1-E3 データシート(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
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SI1470DH-T1-E3 データシート(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 7 page www.vishay.com 4 Document Number: 74277 S-62443–Rev. A, 27-Nov-06 Vishay Siliconix Si1470DH TYPICAL CHARACTERISTICS TA = 25 °C, unless otherwise noted Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0.01 1 10 VSD 1 – Source-to-Drain Voltage (V) 0.1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.2 T = 150 °C J T = 25 °C J 0.5 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA TJ – Temperature (°C) rDS(on) vs VGS vs Temperature Single Pulse Power 0.00 0.04 0.08 0.12 0.16 012345 VGS – Gate-to-Source Voltage (V) TA = 25 °C TA = 125 °C ID = 3.7 A 0 20 30 5 15 Time (sec) 25 1 600 100 0.001 0.1 10 0.01 10 Safe Operating Area, Junction-to-Ambient 100 0.001 10 0.01 VDS – Drain-to-Source Voltage (V) *VGS minimum VGS at which rDS(on) is specified 0.1 100 10 1 0.1 1 TA = 25 °C Single Pulse *Limited by rDS(on) 10 ms 100 ms 1 s 10 s dc |
同様の部品番号 - SI1470DH-T1-E3 |
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同様の説明 - SI1470DH-T1-E3 |
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