データシートサーチシステム |
|
2SD1032 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2SD1032 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1032 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 30mA ; IB= 0 60 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 0.4A B 1.5 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 3A ; VCE= 4V 2 V ICEO Collector Cutoff Current VCE= 30V ; IB= 0 700 μA ICES Collector Cutoff Current VCE= 60V ; VBE= 0 400 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 1 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 1A ; VCE= 4V 40 250 hFE-2 DC Current Gain IC= 3A ; VCE= 4V 15 Switching times ton Turn-On Time 0.2 μs toff Turn-Off Time IC= 4A ,IB1= -IB2= 0.4A 1.4 μs hFE-1 Classifications R Q P 40-90 70-150 120-250 isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
同様の部品番号 - 2SD1032 |
|
同様の説明 - 2SD1032 |
|
|
リンク URL |
プライバシーポリシー |
ALLDATASHEET.JP |
ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |