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2SC1141 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SC1141 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 3 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC1141 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=0.1A ; IB=0 300 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA ; IC=0 7 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=8A; IB=1.6A 1.5 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=8A; IB=1.6A 1.6 V ICBO Collector cut-off current VCB=600V; IE=0 0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=7V; IC=0 0.1 mA hFE-1 DC current gain IC=1A ; VCE=5V 15 50 hFE-2 DC current gain IC=7.5A ; VCE=5V 10 25 fT Transition frequency IC=1A ; VCE=5V 10 MHz |
同様の部品番号 - 2SC1141 |
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同様の説明 - 2SC1141 |
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