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2SC1678 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SC1678 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 3 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC1678 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCE(sat) Collector-emitter saturation voltage IC=0.5A; IB=50m A 1.0 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=1mA; IE=0 65 V V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=10mA; IB=0 65 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA; IC=0 4 V ICBO Collector cut-off current VCB=30V;IE=0 10 μA ICEO Collector cut-off current VCE=20V;IB=0 100 μA hFE-1 DC current gain IC=0.5A ; VCE=5V 15 hFE-2 DC current gain IC=1.5A ; VCE=5V 10 COB Collectpr output capacitance IE=0 ; VCB=10V, f=1MHz 30 pF fT Transition frequency IC=0.1A ; VCE=5V 100 MHz |
同様の部品番号 - 2SC1678 |
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同様の説明 - 2SC1678 |
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