データシートサーチシステム |
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ST3401S23RG データシート(PDF) 2 Page - Stanson Technology |
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ST3401S23RG データシート(HTML) 2 Page - Stanson Technology |
2 / 6 page ST3401 P Channel Enhancement Mode MOSFET -4.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA http://www.stansontech.com STP3401 2005. V1 ABSOULTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Typical Unit Drain-Source Voltage VDSS -30 V Gate-Source Voltage VGSS ± 12 V Continuous Drain CurrentTJ=150℃) TA=25℃ TA=70℃ ID -4.0 -3.2 A Pulsed Drain Current IDM -15 A Continuous Source Current (Diode Conduction) IS -1.0 A Power Dissipation TA=25℃ TA=70℃ PD 1.25 0.8 W Operation Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature Range TSTG -55/150 ℃ Thermal Resistance-Junction to Ambient RθJA 120 ℃ /W |
同様の部品番号 - ST3401S23RG |
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同様の説明 - ST3401S23RG |
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