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ST3406S23RG データシート(PDF) 3 Page - Stanson Technology |
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ST3406S23RG データシート(HTML) 3 Page - Stanson Technology |
3 / 6 page ST3406 N Channel Enhancement Mode MOSFET 5.4A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA http://www.stansontech.com ST3406 2006. V1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=-250uA 30 V Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250uA 1.0 3.0 V Gate Leakage Current IGSS VDS=0V,VGS=±20V ± 100 nA VDS=24V,VGS=0V 1 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=24V,VGS=0V TJ=55℃ 10 uA On-State Drain Current ID(on) VDS≧5V,VGS=4.5V 10 A Drain-source On-Resistance RDS(on) VGS=10V,ID=4.0A VGS=4.5V,ID=3.6A 26 36 33 41 mΩ Forward Transconductance gfs VDS=4.5V,ID=5.4A 12 S Diode Forward Voltage VSD IS=1.7A,VGS=0V 0.8 1.2 V Dynamic Total Gate Charge Qg 10 18 Gate-Source Charge Qgs 1.6 Gate-Drain Charge Qgd VDS=15V VGS=10V ID≣6.7A 3.1 nC Input Capacitance Ciss 450 Output Capacitance Coss 240 Reverse Transfer Capacitance Crss VDS=15V VGS=0V F=1MHz 38 pF 7 15 Turn-On Time td(on) tr 10 20 20 40 Turn-Off Time td(off) tf VDD=15V RL=15Ω ID=1.0A VGEN=10V RG=6Ω 11 20 nS |
同様の部品番号 - ST3406S23RG |
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同様の説明 - ST3406S23RG |
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