データシートサーチシステム |
|
ACE2302BM+H データシート(PDF) 2 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
ACE2302BM+H データシート(HTML) 2 Page - ACE Technology Co., LTD. |
2 / 7 page ACE2302 Technology N-Channel Enhancement Mode MOSFET VER 1.2 2 Packaging Type SOT-23-3 3 1 2 Ordering information Selection Guide ACE2302 XX + H Electrical Characteristics TA=25 , unless otherw ℃ ise noted Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 uA 20 Gate Threshold Voltage VGS(th) VD=VGS, ID=250uA 0.45 1.2 V Gate Leakage Current IGSS VDS=0V,VGS=±12V ±100 nA VDS=20V, VGS=0V 1 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=24V, VGS=0V TJ=55℃ 10 uA VDS≧5V, VGS=4.5V 6 On-State Drain Current ID(ON) VDS≧5V, VGS=2.5V 4 A VGS=4.5V, ID=3.6A 0.050 0.080 Drain-Source On-Resistance RDS(ON) VGS=2.5V, ID=3.1A 0.070 0.095 Ω Forward Transconductance gfs VDS=5V,ID=3.6A 10 S Pin Symbol Description 1 G Gate 2 S Source 3 D Drain BM : SOT-23-3 Pb - free Halogen - free |
同様の部品番号 - ACE2302BM+H |
|
同様の説明 - ACE2302BM+H |
|
|
リンク URL |
プライバシーポリシー |
ALLDATASHEET.JP |
ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |