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BCX70 データシート(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
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BCX70 データシート(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 7 page 2004 Jan 16 3 NXP Semiconductors Product data sheet NPN general purpose transistors BCX70 series LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). THERMAL CHARACTERISTICS Note 1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VCBO collector-base voltage open emitter − 45 V VCEO collector-emitter voltage open base − 45 V VEBO emitter-base voltage open collector − 5 V IC collector current (DC) − 100 mA ICM peak collector current − 200 mA IBM peak base current − 200 mA Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C − 250 mW Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj junction temperature − 150 °C Tamb operating ambient temperature −65 +150 °C SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient note 1 500 K/W |
同様の部品番号 - BCX70 |
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同様の説明 - BCX70 |
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