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2SC1173 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SC1173 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 3 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC1173 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=10mA ;IB=0 30 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=0.5mA ;IE=0 30 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA ;IC=0 5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=2A IB=0.2A 0.8 V VBE Base-emitter on voltage IC=0.5A ; VCE=2V 1.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=20V;IE=0 1.0 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 1.0 μA hFE-1 DC current gain IC=0.5A ; VCE=2V 70 240 hFE-2 DC current gain IC=2.5A ; VCE=2V 25 COB Output capacitance IE=0; VCB=10V;f=1MHz 35 pF fT Transition frequency IC=0.5A ; VCE=2V 100 MHz hFE-1 classifications O Y 70-140 120-240 |
同様の部品番号 - 2SC1173 |
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同様の説明 - 2SC1173 |
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