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2SC2334 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SC2334 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 4 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC2334 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=5.0A ,IB=0.5A,L=1mH 100 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=5A; IB=0.5A 0.6 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=5A; IB=0.5A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=100V; IE=0 10 μA ICEX Collector cut-off current VCE=100V; VBE(off)=-1.5V Ta=125℃ 10 1.0 μA mA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 10 μA hFE-1 DC current gain IC=0.5A ; VCE=5V 40 hFE-2 DC current gain IC=3A ; VCE=5V 40 200 hFE-3 DC current gain IC=5A ; VCE=5V 20 Switching times resistive load ton Turn-on time 0.5 μs ts Storage time 1.5 μs tf Fall time IC=5.0A IB1=-IB2=0.5A RL=10Ω;VCC≈50V 0.5 μs hFE-2 Classifications M L K 40-80 60-120 100-200 |
同様の部品番号 - 2SC2334 |
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同様の説明 - 2SC2334 |
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