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2SD1336 データシート(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SD1336 データシート(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
1 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1336 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1500(Min) @ IC= 5A, VCE= 4V ·High Speed Switching APPLICATIONS ·High power switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V VEBO Emitter-Base Voltage 8 V IC Collector Current-Continuous 6 A ICM Collector Current-Peak 10 A Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ 2 PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 35 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ isc Website:www.iscsemi.cn |
同様の部品番号 - 2SD1336 |
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同様の説明 - 2SD1336 |
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