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BU2720DF データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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BU2720DF データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 3 page Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors BU2720DF CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=100mA ;IB=0,L=25mH 825 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=600mA ;IC=0 7.5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=5.5A ;IB=1.38 A 1.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=5.5A ;IB=1.38 A 1.0 V ICES Collector cut-off current VCE=BVCES; VBE=0 Tj=125℃ 1.0 2.0 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=7.5V; IC=0 100 300 mA hFE-1 DC current gain IC=0.1A ; VCE=5V 22 hFE-2 DC current gain IC=5.5A ; VCE=1V 4 5.5 7.5 |
同様の部品番号 - BU2720DF |
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同様の説明 - BU2720DF |
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