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BUV10 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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BUV10 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV10 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 0.2A; IB= 0; L= 25mH 125 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 50mA; IC= 0 7 V VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 10A; IB= 1A 1.0 V VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 20A ;IB= 2A 2.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 10A; IB= 1A 1.5 V ICEO Collector Cutoff Current VCE= 100V; IB= 0 1.5 mA ICEX Collector Cutoff Current VCE= 160V;VBE= -1.5V VCE= 160V;VBE= -1.5V;TC=125℃ 1.5 6.0 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 0.5 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 10A ; VCE= 4V 20 60 hFE-2 DC Current Gain IC= 20A ; VCE= 4V 10 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 1A; VCE= 15V 8 MHz isc Website:www.iscsemi.cn |
同様の部品番号 - BUV10 |
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同様の説明 - BUV10 |
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