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SI1304BDL データシート(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
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SI1304BDL データシート(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 7 page www.vishay.com 4 Document Number: 73480 S10-0645-Rev. C, 22-Mar-10 Vishay Siliconix Si1304BDL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Forward Diode Voltage vs. Temperature Threshold Voltage TJ = 25 °C TJ = 150 °C 0.3 0.6 0.9 1.2 VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 0.01 0.1 1 10 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 µA TJ - Temperature (°C) RDS(on) vs. VGS vs. Temperature Single Pulse Power, Junction-to-Ambient 0 0.2 0.4 0.6 0.8 012345 ID = 0.9 A VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TA = 25 °C TA = 125 °C 0 12 20 4 8 Time (s) 16 1 100 600 10 10-1 10-3 10-2 TA = 25 °C Safe Operating Area 1 ms TA = 25 °C Single Pulse 10 ms 100 ms DC VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS minimum VGS at which RDS(on) is specified 1 s 10 s 0.001 0.01 0.1 1 10 0.1 1 10 100 1000 Limited by RDS(on)* > BVDSS Limited |
同様の部品番号 - SI1304BDL_10 |
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同様の説明 - SI1304BDL_10 |
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