データシートサーチシステム |
|
BBY53 データシート(PDF) 2 Page - Siemens Semiconductor Group |
|
BBY53 データシート(HTML) 2 Page - Siemens Semiconductor Group |
2 / 3 page Semiconductor Group 2 Feb-04-1997 BBY 53 Electrical Characteristics at TA=25°C, unless otherwise specified Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. DC characteristics Reverse current VR = 4 V, TA = 25 °C VR = 4 V, TA = 65 °C IR - - - - 200 10 nA AC characteristics Diode capacitance VR = 1 V, f = 1 MHz VR = 3 V, f = 1 MHz CT 1.85 4.8 2.4 5.3 3.1 5.8 pF Capacitance ratio VR = 1 V, VR = 3 V, f = 1 MHz CT1/CT3 1.8 2.2 2.6 - Series resistance VR = 1 V, f = 1 GHz rs - 0.37 - Ω Case capacitance f = 1 MHz CC - 0.12 - pF Series inductance chip to ground Ls - 2 - nH |
同様の部品番号 - BBY53 |
|
同様の説明 - BBY53 |
|
|
リンク URL |
プライバシーポリシー |
ALLDATASHEET.JP |
ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |