2SA965TM datasheet(1/1 Pages) SECOS

部品番号	2SA965TM

部品情報	-0.8A , -120V PNP Plastic Encapsulated Transistor

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メーカー	SECOS [SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]

ホームページ	http://www.secosgmbh.com

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2SA965TM

-0.8A , -120V

PNP Plastic Encapsulated Transistor

Elektronische Bauelemente

17-Aug-2011 Rev. A

Page 1 of 1

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

3

Base

1

Emitter

Collector

2

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

FEATURES

Complementary to 2SC2235

Power Amplifier Applications

CLASSIFICATION OF hFE

Product-Rank

2SA965-O

2SA965-Y

Range

80-160

120-240

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector to Base Voltage

VCBO

-120

V

Collector to Emitter Voltage

VCEO

-120

V

Emitter to Base Voltage

VEBO

-5

V

Collector Current - Continuous

IC

-0.8

A

Collector Power Dissipation

PC

0.9

W

Thermal Resistance, Junction To Ambient

RθJA

139

°C/W

Junction, Storage Temperature

TJ, TSTG

150, -55~150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

Collector to Base Breakdown Voltage

V(BR)CBO

-120

-

V

IC= -1mA, IE=0

Collector to Emitter Breakdown Voltage

V(BR)CEO

-120

-

V

IC= -10mA, IB=0

Emitter to Base Breakdown Voltage

V(BR)EBO

-5

-

V

IE= -1mA, IC=0

Collector Cut-Off Current

ICBO

-

-0.1

µA

VCB= -120V, IE=0

Emitter Cut-Off Current

IEBO

-

-0.1

µA

VEB= -5V, IC=0

DC Current Gain

hFE

80

-

240

VCE= -5V, IC= -100mA

Collector to Emitter Saturation Voltage

VCE(sat)

-

-1

V

IC= -500mA, IB= -50mA

Base to Emitter Saturation Voltage

VBE

-

-1

V

VCE= -5V, IC= -0.5A

Transition Frequency

fT

-

120

-

MHz

VCE= -5V, IC= -100mA

Collector Output Capacitance

Cob

-

40

pF

VCB= -10V, IE=0, f=1MHz

TO-92MOD

1

1 Emitter

2

2 Collector

3

3 Base

REF.

Millimeter

REF.

Millimeter

Min.

Max.

Min.

Max.

A

5.50

6.50

H

1.70

2.05

B

8.00

9.00

J

2.70

3.20

C

12.70

14.50

K

0.85

1.15

D

4.50

5.30

L

1.60 Max

E

0.35

0.65

M

0.00

0.40

F

0.30

0.51

N

4.00 Min

G

1.50 TYP.

A

C

E

K

F

D

B

G

H

J

L

M

N

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
SeCoS Halbleitertechnol...	2SA965TM	125Kb / 1P	PNP Plastic Encapsulated Transistor

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	3DD13002	297Kb / 2P	0.8A, 600V NPN Plastic-Encapsulated Transistor
	KTC3265	226Kb / 2P	0.8A , 35V NPN Plastic Encapsulated Transistor
	2SD667A	70Kb / 1P	1A , 120V NPN Plastic Encapsulated Transistor
	2SA733	420Kb / 2P	PNP Plastic Encapsulated Transistor
	2SA844	83Kb / 1P	PNP Plastic Encapsulated Transistor
	2SA1300	401Kb / 2P	PNP Plastic Encapsulated Transistor
	2SB1068	84Kb / 1P	PNP Plastic Encapsulated Transistor
	A1015	449Kb / 2P	PNP Plastic-Encapsulated Transistor

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