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BAW75 データシート(PDF) 2 Page - Vishay Siliconix |
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2 / 3 page www.vishay.com 2 Document Number 85550 Rev. 1.7, 17-Aug-10 BAW75 Vishay Semiconductors For technical questions within your region, please contact one of the following: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com Electrical Characteristics Tamb = 25 °C, unless otherwise specified Package Dimensions in millimeters (inches): DO-35 Parameter Test condition Symbol Min. Typ. Max. Unit Forward voltage IF = 30 mA VF 1000 mV Reverse current VR = 25 V IR 100 nA VR = 25 V, Tj = 150 °C IR 100 μA Breakdown voltage IR = 5 µA, tp/T = 0.01, tp = 0.3 ms V(BR) 35 V Diode capacitance VR = 0, f = 1 MHz, VHF = 50 mV CD 4pF Reverse recovery time IF = IR = 10 mA, IR = 1 mA trr 4ns IF = 10 mA, VR = 6 V, IR = 1 mA, RL = 100 Ω trr 2ns 94 9366 26 (1.024) min. 3.9 (0.154) max. 26 (1.024) min. Cathode identification Rev. 6 - Date: 29. January 2007 Document no.: 6.560-5004.02-4 |
同様の部品番号 - BAW75 |
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