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BUZ172 データシート(PDF) 2 Page - Siemens Semiconductor Group |
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BUZ172 データシート(HTML) 2 Page - Siemens Semiconductor Group |
2 / 9 page Semiconductor Group 2 07/96 BUZ 172 Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Static Characteristics Drain- source breakdown voltage VGS = 0 V, ID = -0.25 mA, Tj = 25 °C V(BR)DSS -100 - - V Gate threshold voltage VGS=VDS, ID = 1 mA VGS(th) -2.1 -3 -4 Zero gate voltage drain current VDS = -100 V, VGS = 0 V, Tj = 25 °C VDS = -100 V, VGS = 0 V, Tj = 125 °C IDSS - - -10 -0.1 -100 -1 µA Gate-source leakage current VGS = -20 V, VDS = 0 V IGSS - -10 -100 nA Drain-Source on-resistance VGS = -10 V, ID = -3.7 A RDS(on) - 0.4 0.6 Ω |
同様の部品番号 - BUZ172 |
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同様の説明 - BUZ172 |
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