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BUZ346S2 データシート(PDF) 4 Page - Siemens Semiconductor Group |
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BUZ346S2 データシート(HTML) 4 Page - Siemens Semiconductor Group |
4 / 9 page Semiconductor Group 4 07/96 BUZ 346 S2 Not for new design Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Reverse Diode Inverse diode continuous forward current TC = 25 °C IS - - 58 A Inverse diode direct current,pulsed TC = 25 °C ISM - - 232 Inverse diode forward voltage VGS = 0 V, IF = 116 A VSD - 1.6 2 V Reverse recovery time VR = 30 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs trr - 100 - ns Reverse recovery charge VR = 30 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs Qrr - 0.3 - µC |
同様の部品番号 - BUZ346S2 |
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同様の説明 - BUZ346S2 |
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