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BUZ60 データシート(PDF) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
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BUZ60 データシート(HTML) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
8 / 9 page Semiconductor Group 8 07/96 BUZ 60 Avalanche energy E AS = ƒ(Tj) parameter: ID = 5.5 A, VDD = 50 V R GS = 25 Ω, L = 18.5 mH 20 40 60 80 100 120 °C 160 T j 0 40 80 120 160 200 240 280 mJ 340 E AS Typ. gate charge VGS = ƒ(QGate) parameter: I D puls = 8 A 0 10 20 30 40 50 nC 65 Q Gate 0 2 4 6 8 10 12 V 16 V GS DS max V 0,8 DS max V 0,2 Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS = ƒ(Tj) -60 -20 20 60 100 °C 160 T j 360 370 380 390 400 410 420 430 440 450 460 V 480 V (BR)DSS |
同様の部品番号 - BUZ60 |
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同様の説明 - BUZ60 |
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