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IRF2807PBF データシート(PDF) 7 Page - Kersemi Electronic Co., Ltd. |
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IRF2807PBF データシート(HTML) 7 Page - Kersemi Electronic Co., Ltd. |
7 / 8 page IRF2807PbF 7 Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit P.W. Period di/dt Diode Recovery dv/dt Ripple ≤ 5% Body Diode Forward Drop Re-Applied Voltage Reverse Recovery Current Body Diode Forward Current VGS=10V VDD ISD Driver Gate Drive D.U.T. ISD Waveform D.U.T. VDS Waveform Inductor Curent D = P.W. Period + - + + + - - - RG VDD • dv/dt controlled by RG • ISD controlled by Duty Factor "D" • D.U.T. - Device Under Test D.U.T * Circuit Layout Considerations • Low Stray Inductance • Ground Plane • Low Leakage Inductance Current Transformer * Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel VGS [ ] [ ] *** VGS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices [ ] *** Fig 14. For N-channel HEXFET® power MOSFETs www.kersemi.com |
同様の部品番号 - IRF2807PBF |
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同様の説明 - IRF2807PBF |
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