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2SK1666 データシート(PDF) 4 Page - Hitachi Semiconductor |
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2SK1666 データシート(HTML) 4 Page - Hitachi Semiconductor |
4 / 9 page 2SK1666 4 Power vs. Temperature Derating 60 40 20 0 50 100 150 Case Temperature TC (°C) 500 30 3 0.5 1 10 100 Drain to Source Voltage VDS (V) Maximum Safe Operation Area 100 10 1 0.1 0.3 3 30 Ta = 25 °C 10 µ s PW = 10 ms (1 shot) 100 µ s 1 ms DC Operation (T C = 25 °C) Operation in this area is limited by RDS (on) 300 Pulse Test 4.5 V VGS = 3 V 8 V 10 V 3.5 V 5 V 4 V 100 410 Drain to Source Voltage VDS (V) Typical Output Characteristics 80 20 26 8 0 40 60 Gate to Source Voltage VGS (V) 0 1 345 2 10 20 30 40 50 Typical Transfer Characteristics 25 °C VDS = 10 V Pulse Test 75 °C TC = –25°C |
同様の部品番号 - 2SK1666 |
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同様の説明 - 2SK1666 |
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