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2SC1098_2014 データシート(PDF) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
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2SC1098_2014 データシート(HTML) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
2 / 3 page Product Specification www.jmnic.com 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC1098 2SC1098A CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=1.5A; IB=0.15 A 2.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=1.5A; IB=0.15 A 2.0 V 2SC1098 45 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SC1098A IC=10mA; IB=0 60 V hFE-1 DC current gain IC=20mA ; VCE=5V 20 hFE-2 DC current gain IC=0.5A ; VCE=5V 40 250 ICBO Collector cut-off current VCB=45V ;IE=0 1.0 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=3V; IC=0 1.0 μA COB Output capacitance IE=0; VCB=10V;f=1MHz 40 pF fT Transition frequency IC=0.1A ; VCE=5V 60 MHz hFE-2 Classifications N M L K 40-60 50-100 80-160 120-250 |
同様の部品番号 - 2SC1098_2014 |
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同様の説明 - 2SC1098_2014 |
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