データシートサーチシステム |
|
STD70NS04ZL データシート(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STD70NS04ZL データシート(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 13 page STD70NS04ZL Electrical characteristics Doc ID 16344 Rev 1 5/13 Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) - 70 280 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD=60 A, VGS=0 - 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD=60 A, di/dt = 100 A/µs, VDD= 25 V, Tj=150 °C (see Figure 16) - 40 40 2.3 ns nC A |
同様の部品番号 - STD70NS04ZL |
|
同様の説明 - STD70NS04ZL |
|
|
リンク URL |
プライバシーポリシー |
ALLDATASHEET.JP |
ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |