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MTB050P10F3-0-T7-S データシート(PDF) 5 Page - Cystech Electonics Corp. |
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MTB050P10F3-0-T7-S データシート(HTML) 5 Page - Cystech Electonics Corp. |
5 / 9 page CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C975F3 Issued Date : 2014.08.13 Revised Date : 2014.10.02 Page No. : 5/9 MTB050P10F3 CYStek Product Specification Typical Characteristics(Cont.) Capacitance vs Drain-to-Source Voltage 100 1000 10000 0.1 1 10 100 -VDS, Drain-Source Voltage(V) C oss Ciss Crss Threshold Voltage vs Junction Tempearture 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200 Tj, Junction Temperature(°C) ID=-250μA ID=-1mA Forward Transfer Admittance vs Drain Current 0.01 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100 -ID, Drain Current(A) VDS=-5V Pulsed Ta=25°C Gate Charge Characteristics 0 2 4 6 8 10 0 1020 3040 5060 Total Gate Charge---Qg(nC) VDS=-50V ID=-21A Maximum Safe Operating Area 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 1000 -VDS, Drain-Source Voltage(V) DC 10ms 100ms 1ms 100μs 10μs RDS(ON) Limit TC=25°C, Tj=175°C, VGS=10V,RθJC=0.75°C/W single pulse Maximum Drain Current vs Case Temperature 0 10 20 30 40 50 0 25 50 75 100 125 150 175 200 TC, Case Temperature(°C) VGS=10V, RθJC=0.75°C/W |
同様の部品番号 - MTB050P10F3-0-T7-S |
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同様の説明 - MTB050P10F3-0-T7-S |
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