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MTB080N15J3-0-T3-G データシート(PDF) 4 Page - Cystech Electonics Corp. |
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MTB080N15J3-0-T3-G データシート(HTML) 4 Page - Cystech Electonics Corp. |
4 / 9 page CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C987J3 Issued Date : 2015.02.03 Revised Date : Page No. : 4/9 MTB080N15J3 CYStek Product Specification Typical Characteristics Typical Output Characteristics 0 5 10 15 20 25 30 35 40 02 4 68 10 Brekdown Voltage vs Ambient Temperature 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200 Tj, Junction Temperature(°C) ID=250μA, VGS=0V VDS, Drain-Source Voltage(V) 10V 9V 8V 7V 6V 5V 4V 3.5V 3V VGS=2.5V Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current 10 100 1000 0.01 0.1 1 10 100 ID, Drain Current(A) VGS=10V 4.5V 3V Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 02 46 8 1 IDR, Reverse Drain Current(A) 0 Tj=25°C Tj=150°C VGS=0V Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source Voltage 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 02 4 6 8 10 Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 2.4 2.8 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200 Tj, Junction Temperature(°C) VGS=10V, ID=10A RDS(ON)@Tj=25°C : 82.3mΩ typ. ID=10A VGS, Gate-Source Voltage(V) |
同様の部品番号 - MTB080N15J3-0-T3-G |
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同様の説明 - MTB080N15J3-0-T3-G |
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