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PZTA13 データシート(PDF) 1 Page - Infineon Technologies AG |
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PZTA13 データシート(HTML) 1 Page - Infineon Technologies AG |
1 / 4 page PZTA13, PZTA14 1 Nov-30-2001 NPN Silicon Darlington Transistors For general AF applications High collector current High current gain Complementary types: PZTA63, PZTA64 (PNP) VPS05163 1 2 3 4 Type Marking Pin Configuration Package PZTA13 PZTA14 PZTA 13 PZTA 14 1 = B 1 = B 2 = C 2 = C 3 = E 3 = E 4 = C 4 = C SOT223 SOT223 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCES 30 V Collector-base voltage VCBO 30 Emitter-base voltage VEBO 10 DC collector current IC 300 mA Peak collector current ICM 500 mA Base current 100 IB Peak base current IBM 200 Total power dissipation, TS = 124 °C Ptot 1.5 W Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature Tstg -65 ... 150 Thermal Resistance Junction - soldering point1) RthJS 17 K/W 1For calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance |
同様の部品番号 - PZTA13 |
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同様の説明 - PZTA13 |
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