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CAS120M12BM2 データシート(PDF) 7 Page - Cree, Inc |
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CAS120M12BM2 データシート(HTML) 7 Page - Cree, Inc |
7 / 9 page 7 CAS120M12BM2,Rev. - Typical Performance 100E-6 1E-3 10E-3 100E-3 1E-6 10E-6 100E-6 1E-3 10E-3 100E-3 1 10 Time, tp (s) 0.5 0.3 0.1 0.05 0.02 0.01 SinglePulse 0 50 100 150 200 250 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 Case Temperature, TC (°C) Conditions: TJ ≤ 150 °C 100E-6 1E-3 10E-3 100E-3 1E-6 10E-6 100E-6 1E-3 10E-3 100E-3 1 10 Time, tp (s) 0.5 0.3 0.1 0.05 0.02 0.01 SinglePulse Figure27.MOSFETJunctiontoCaseThermalImpedance Figure28.DiodeJunctiontoCaseThermalImpedance 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 Case Temperature, TC (°C) Conditions: TJ ≤ 150 °C Figure25.MaximumPowerDissipation(MOSFET) Deratingvs.CaseTemperature Figure26.ContinousDrainCurrent(MOSFET) DeratingvsCaseTemperature Figure29.MaximumPowerDissipation(MOSFET)Derat- ingvs.CaseTemperature 0.01 0.10 1.00 10.00 100.00 1000.00 0.1 1 10 100 1000 Drain-Source Voltage, VDS (V) 100 µs 1 ms 10 µs Conditions: TC = 25 °C D = 0, Parameter: tp 100 ms Limited by RDS On |
同様の部品番号 - CAS120M12BM2 |
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同様の説明 - CAS120M12BM2 |
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