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CAS300M12BM2 データシート(PDF) 7 Page - Cree, Inc |
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CAS300M12BM2 データシート(HTML) 7 Page - Cree, Inc |
7 / 9 page 7 CAS300M12BM2,Rev. - Typical Performance Figure25.Timingvs.R G(ext) Figure26.ContinousDrainCurrentDeratingvsCase Temperature 1E-3 10E-3 100E-3 0.5 0.3 0.1 0.05 0.02 0.01 SinglePulse 10E-6 100E-6 1E-6 10E-6 100E-6 1E-3 10E-3 100E-3 1 Time, tp (s) 0.01 1.00 10.00 100.00 1000.00 100 µs 1 ms 1 µs Limited by RDS On 100 ms 0.01 0.10 0.1 1 10 100 1000 Drain-Source Voltage, VDS (V) Conditions: TC = 25 °C D = 0, Parameter: tp 1E-3 10E-3 100E-3 0.5 0.3 0.1 0.05 0.02 0.01 SinglePulse 10E-6 100E-6 1E-6 10E-6 100E-6 1E-3 10E-3 100E-3 1 Time, tp (s) Figure27.MOSFETJunctiontoCaseThermalImpedance Figure28.DiodeJunctiontoCaseThermalImpedance 400 600 800 1000 1200 Conditions: TJ = 25 °C VDD = 600 V IDS = 300 A VGS = -5/+20 V td (off) td (on) 0 200 400 0 5 10 15 20 25 30 35 40 External Gate Resistor, RG(ext) (Ohms) tf tr |
同様の部品番号 - CAS300M12BM2_14 |
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同様の説明 - CAS300M12BM2_14 |
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