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2SK851 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SK851 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel Mosfet Transistor 2SK851 ·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T C=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0; ID= 10mA 200 V VGS(TH) Gate Threshold Voltage VDS=0; ID= 1mA 2.0 4.0 V RDS(ON) Drain-Source On-stage Resistance VGS= 10V; ID=15A 0.085 Ω IGSS Gate Source Leakage Current VGS= ±20V; VDS= 0 ±100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=200V; VGS= 0 0.1 mA PDF pdfFactory Pro www.fineprint.cn |
同様の部品番号 - 2SK851 |
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同様の説明 - 2SK851 |
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