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IXYP10N65C3D1M データシート(PDF) 4 Page - IXYS Corporation |
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IXYP10N65C3D1M データシート(HTML) 4 Page - IXYS Corporation |
4 / 6 page IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions. IXYP10N65C3D1M Fig. 7. Transconductance 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 IC - Amperes TJ = - 40ºC 150ºC 25ºC VCE = 10V Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area 0 4 8 12 16 20 100 200 300 400 500 600 700 VCE - Volts TJ = 150ºC RG = 50Ω dv / dt < 10V / ns Fig. 8. Gate Charge 0 2 4 6 8 10 12 14 16 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 QG - NanoCoulombs VCE = 325V IC = 10A IG = 1mA Fig. 9. Capacitance 1 10 100 1,000 0 5 10 15 20 25 30 35 40 VCE - Volts f = 1 MHz Cies Coes Cres Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance (IGBT) 0.1 1 10 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width - Seconds Fig. 11. Forward-Bias Safe Operating Area 0.01 0.1 1 10 100 1 10 100 1000 VDS - Volts TJ = 175ºC TC = 25ºC Single Pulse 25µs 1ms VCE(sat) Limit 100µs DC 100ms 1s 10ms |
同様の部品番号 - IXYP10N65C3D1M |
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同様の説明 - IXYP10N65C3D1M |
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