1SV322 datasheet(1/3 Pages) TOSHIBA

部品番号	1SV322

部品情報	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

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メーカー	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

ホームページ	http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng

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1SV322

2003-03-24

1

TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

1SV322

TCXO/VCO

· High capacitance ratio: C1 V/C4 V = 4.3 (typ.)

· Low series resistance: rs = 0.4 Ω (typ.)

· Useful for small size tuner.

Maximum Ratings (Ta

==== 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Reverse voltage

VR

10

V

Junction temperature

Tj

125

°C

Storage temperature range

Tstg

-55~125

°C

Electrical Characteristics (Ta

==== 25°C)

Characteristics

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

Reverse voltage

VR

IR = 1 mA

10

¾

V

Reverse current

IR

VR = 10 V

¾

3

nA

Capacitance

C1 V

VR = 1 V, f = 1 MHz

26.5

¾

29.5

pF

Capacitance

C4 V

VR = 4 V, f = 1 MHz

6.0

¾

7.1

pF

Capacitance ratio

C1 V/C4 V

¾

4.0

4.3

¾

Series resistance

rs

VR = 4 V, f = 100 MHz

¾

0.4

0.8

W

Note: Signal level when capacitance is measured: Vsig

= 500 mVrms

Marking

Unit: mm

JEDEC

―

JEITA

―

TOSHIBA

1-1E1A

Weight: 0.004 g (typ.)

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Guangdong Kexin Industr...	1SV322	32Kb / 1P	Silicon Epitaxial Planar Diode
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	1SS308	231Kb / 3P	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
	1SS314	159Kb / 3P	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
	HN1D01FE	248Kb / 4P	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
	HN1D01FU	247Kb / 4P	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
	JDV2S06S	102Kb / 3P	TOSHIBA DIODE Silicon Epitaxial Planar Type
	JDV2S14E	73Kb / 3P	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
	1SS321	175Kb / 3P	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
	1SS190	202Kb / 3P	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

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