IXXH40N65B4H1 datasheet(2/8 Pages) IXYS

部品番号	IXXH40N65B4H1

部品情報	XPTTM 650V IGBT

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メーカー	IXYS [IXYS Corporation]

ホームページ	http://www.ixys.com

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IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXXH40N65B4H1

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered

4,835,592

4,931,844

5,049,961

5,237,481

6,162,665

6,404,065 B1

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

7,157,338B2

by one or more of the following U.S. patents: 4,860,072

5,017,508

5,063,307

5,381,025

6,259,123 B1

6,534,343

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

4,881,106

5,034,796

5,187,117

5,486,715

6,306,728 B1

6,583,505

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

Notes:

1. Pulse test, t

 300μs, duty cycle, d  2%.

2. Switching times & energy losses may increase for higher V

CE(clamp), TJ or RG.

e

P

TO-247 (IXXH) Outline

1

2

3

Terminals: 1 - Gate

2 - Collector

3 - Emitted

Dim.

Millimeter

Inches

Min.

Max.

Min. Max.

A

4.7

5.3

.185

.209

A

1

2.2

2.54

.087

.102

A

2

2.2

2.6

.059

.098

b

1.0

1.4

.040

.055

b

1

1.65

2.13

.065

.084

b

2

2.87

3.12

.113

.123

C

.4

.8

.016

.031

D

20.80 21.46

.819

.845

E

15.75 16.26

.610

.640

e

5.20

5.72 0.205 0.225

L

19.81 20.32

.780

.800

L1

4.50

.177

P

3.55

3.65

.140

.144

Q

5.89

6.40 0.232 0.252

R

4.32

5.49

.170

.216

S

6.15 BSC

242 BSC

Reverse Sonic Diode (FRD)

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T

J = 25°C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

V

F

I

F = 30A, VGE = 0V, Note 1

2.5

V

T

J = 150°C

2.15

V

I

RM

T

J = 150°C

25

A

t

rr

T

J = 150°C

120

ns

R

thJC

0.60 °C/W

I

F = 30A, VGE = 0V,

-di

F/dt = 500A/μs, VR = 300V

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T

J = 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

g

fs

I

C = 40A, VCE = 10V, Note 1

10

17

S

C

ies

1560

pF

C

oes

V

CE = 25V, VGE = 0V, f = 1MHz

200

pF

C

res

57

pF

Q

g(on)

77

nC

Q

ge

I

C = 40A, VGE = 15V, VCE = 0.5 • VCES

12

nC

Q

gc

29

nC

t

d(on)

28

ns

t

ri

53

ns

E

on

1.40

mJ

t

d(off)

144

ns

t

fi

54

ns

E

off

0.56

0.90

mJ

t

d(on)

24

ns

t

ri

42

ns

E

on

1.87

mJ

t

d(off)

126

ns

t

fi

73

ns

E

off

0.78

mJ

R

thJC

0.33 °C/W

R

thCS

0.21

°C/W

Inductive load, T

J = 25°C

I

C = 40A, VGE = 15V

V

CE = 400V, RG = 5

Note 2

Inductive load, T

J = 150°C

I

C = 40A, VGE = 15V

V

CE = 400V, RG = 5

Note 2

同様の部品番号 - IXXH40N65B4H1

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
IXYS Corporation	IXXH40N65B4	225Kb / 6P	Preliminary Technical Information
IXYS Corporation	IXXH40N65B4D1	233Kb / 7P	Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching

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同様の説明 - IXXH40N65B4H1

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
IXYS Corporation	IXYP20N65C3D1	248Kb / 7P	XPTTM 650V IGBT
	IXXH110N65C4	166Kb / 6P	XPTTM 650V IGBT
	IXXH80N65B4H1	217Kb / 7P	XPTTM 650V IGBT
	IXYA20N65C3D1	248Kb / 7P	XPTTM 650V IGBT
	IXXN110N65C4H1	217Kb / 7P	XPTTM 650V GenX4TM
	IXXK110N65B4H1	267Kb / 7P	XPTTM 650V GenX4TM
	IXXN110N65B4H1	223Kb / 7P	XPTTM 650V GenX4TM
	IXXR110N65B4H1	240Kb / 7P	XPTTM 650V GenX4TM
	IXXH30N60C3	212Kb / 6P	XPTTM 600V IGBT
	IXXH30N60B3	223Kb / 6P	XPTTM 600V IGBT

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IXXH40N65B4H1 データシート(PDF) 2 Page - IXYS Corporation

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同様の部品番号 - IXXH40N65B4H1

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