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KTD1945 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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KTD1945 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor KTD1945 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 50mA ; IB= 0 60 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IB= 0.2A 0.5 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 0.5A ; VCE= 5V 1.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 60V ; IE=0 100 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 7V ; IC=0 100 μ A hFE DC Current Gain IC= 0.5A ; VCE= 5V 60 300 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.5A ; VCE= 5V 3 MHz COB Output Capacitance IE= 0; VCB= 10V; ftest= 1MHz 35 pF Switching times ton Turn-On Time IB1= -IB2= 0.2A; VCC= 30V RL= 15Ω;PW=20μs; Duty Cycle≤1% 0.65 μ s tstg Storage Time 1.3 μ s tf Fall Time 0.65 μ s hFE Classifications O Y GR 60-120 100-200 150-300 |
同様の部品番号 - KTD1945 |
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同様の説明 - KTD1945 |
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